大功率快充方案（RM6801X系列/RM6601X系列）

背景介紹

近年來，手機快充的普及給人們工作和生活帶來了極大的方便，隨著快充技術的迅速發展，更快速度、更小體積的充電器逐漸成為人們的一種新需求，而對于各大充電器廠商來說，大功率、高效率、小體積、安全穩定的高功率密度快充方案將成為這場戰役中的制勝關鍵。在傳統以及準諧振反激形式應用中，由于MOS導通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出現，很好的解決了這些痛點。為了適應快充市場發展新需求，亞成微通過不斷研究改進，成功推出了ZVS反激式架構的開關電源控制芯片RM6801X 以及 QR/CCM反激電源控制芯片RM6601X...

【強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801X】
 

芯片優勢

【高效率、大功率】

■ 專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗，改善EMI特性；

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作頻率；

■ 支持最大功率120W；

■ 兼顧E-Mode GaN FET及超結MOSFET（COOLMOS）驅動設計，可直接驅動E-Mode GaN功率器件，省去外置驅動器件。

【超低待機功耗】

■ 內置700V高壓啟動；
■ 集成X-CAP放電功能；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 待機功耗<65mW。
 

【優異的性能】

■ 內置特有抖頻技術改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能；
■ 集成AC輸入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保護，具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；
■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。

原理圖




產品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）



【QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601X】

芯片優勢
 

【高效率、大功率】

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作頻率；

■ 支持最大功率120W；

■ 兼顧E-Mode GaN FET及超結MOSFET（COOLMOS）驅動設計，可直接驅動E-Mode GaN功率器件，省去外置驅動器件。

【超低待機功耗】

■ 內置700V高壓啟動；
■ 集成X-CAP放電功能；
■ 低啟動電流（2uA），低工作電流；
■ 待機功耗<65mW。
 

【優異的性能】

■ 內置特有抖頻技術改善EMI；
■ Burst Mode去噪音；
■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能；
■ 集成AC輸入Brown out/in功能；
■ 外置OVP保護，具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護；
■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。

原理圖




產品DEMO（尺寸：55mm×30mm×25mm）


產品系列




大功率快充方案選型

【一】高性能、低功耗 60W GaN快充方案 RM6801SN+RM3410T（點擊查看詳細方案）




【二】高精簡、低成本 65W 氮化鎵（GaN）快充方案RM6601SN+RM3410T（點擊查看詳細方案）